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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDAFKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：IPP65R110CFDAAKSA1
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
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ECCN：EAR99
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规格型号(MPN)：IPW65R110CFDAFKSA1
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ECCN：EAR99
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ECCN：EAR99
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栅极电荷：118nC@10V
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连续漏极电流：31.2A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPW65R110CFDAFKSA1
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栅极电荷：118nC@10V
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连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1807
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDAFKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
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连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IPP65R110CFDAAKSA1
功率：277.8W
类型：N沟道
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包装方式：管件
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
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包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
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连续漏极电流：31.2A
ECCN：EAR99
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
功率：277.8W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
栅极电荷：118nC@10V
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连续漏极电流：31.2A
ECCN：EAR99
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1807
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDAFKSA1
工作温度：-40℃~150℃
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连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1807
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规格型号(MPN)：IPW65R110CFDAFKSA1
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类型：N沟道
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工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
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包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
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生产批次：1807
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工作温度：-40℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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