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    漏源电压
    栅极电荷
    漏源电压: 650V
    栅极电荷: 14.5 nC @ 10 V
    当前匹配商品:4
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数4000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数4000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    漏源电压:650V

    阈值电压:4V @ 240µA

    连续漏极电流:7A(Tc)

    工作温度:150°C(TJ)

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    类型:N 通道

    功率:60W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

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