采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH24N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH24N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：772}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：46.5A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：46.5A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
