采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB5N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@3.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB5N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@3.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
