采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
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栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：144psc
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
栅极电荷：39nC@10V
功率：154W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4.5V@1.9mA
包装方式：散装
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：144psc
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
栅极电荷：39nC@10V
功率：154W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4.5V@1.9mA
包装方式：散装
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
栅极电荷：39nC@10V
功率：154W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：480psc
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
输入电容：5.858nF@100V
类型：1个N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：47A
导通电阻：73mΩ@22A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：266nC@10V
功率：500W
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：510pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
