采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：860，"18+"：1850，"19+"：30，"9999"：419，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：860，"18+"：1850，"19+"：30，"9999"：419，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：860，"18+"：1850，"19+"：30，"9999"：419，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：25W
漏源电压：650V
导通电阻：330mΩ@6A，10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：25W
漏源电压：650V
导通电阻：330mΩ@6A，10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
