采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPS04N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPU04N60C3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPU04N60C3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
输入电容：1278pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：26.4nC@10V
类型：N沟道
功率：50W
漏源电压：650V
连续漏极电流：25A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPS04N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF25S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPU04N60C3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK35A65W5，S5X
阈值电压：4.5V@2.1mA
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：50W
栅极电荷：115nC@10V
漏源电压：650V
包装方式：管件
连续漏极电流：35A
导通电阻：95mΩ@17.5A，10V
输入电容：4100pF@300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
