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    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    漏源电压: 650V
    包装方式: 管件
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35N65W,S1F 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35N65W,S1F 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK35N65W,S1F

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:3.5V@2.1mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A65W5,S5X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A65W5,S5X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A65W5,S5X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.26Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F

    工作温度:150℃

    功率:360W

    阈值电压:4V@2.85mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6250pF@300V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@28.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK14N65W5,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK14N65W5,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK14N65W5,S1F

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.5V@690µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@300V

    连续漏极电流:13.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28N65W,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28N65W,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK28N65W,S1F

    工作温度:150℃

    功率:230W

    阈值电压:3.5V@1.6mA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:27.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22A65X5,S5X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22A65X5,S5X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@300V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28A65W,S5X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28A65W,S5X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK28A65W,S5X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@1.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:27.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK14A65W,S5X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK14A65W,S5X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK14A65W,S5X

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.5V@690µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@300V

    连续漏极电流:13.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A65DA(STA4,QM)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A65DA(STA4,QM)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":10000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A65DA(STA4,QM)

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.51Ω@1.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:777
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK090A65Z,S4X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK090A65Z,S4X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1.27mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2780pF@300V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35N65W5,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35N65W5,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK35N65W5,S1F

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@2.1mA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK49N65W,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK49N65W,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK49N65W,S1F

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.5V@2.5mA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:49.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@24.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A65DA(STA4,QM) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A65DA(STA4,QM) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":10000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A65DA(STA4,QM)

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.51Ω@1.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22A65X5,S5X 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22A65X5,S5X 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@300V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6Q65W,S1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6Q65W,S1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6Q65W,S1Q

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35A65W,S5X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35A65W,S5X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK35A65W,S5X

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.5V@2.1mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F

    工作温度:150℃

    功率:360W

    阈值电压:4V@2.85mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6250pF@300V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@28.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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