品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@1.1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":306,"21+":4069}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS60R210PFD7SAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:64W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:129W
阈值电压:4V
栅极电荷:31nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:129W
阈值电压:4V
栅极电荷:31nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":982}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT16N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:57nC@10V
输入电容:1.078nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@25V
导通电阻:550mΩ@10V,8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3206PSB
工作温度:-55℃~150℃
功率:81W
阈值电压:2.6V@500µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:720pF@480V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@1.1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@1.1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":750}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@1.4mA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1.6nF@400V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@10V,8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@1.4mA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1.6nF@400V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@10V,8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: