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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1500，"23+"：500，"9999"：463}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R1K5CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1500，"23+"：500，"9999"：463}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R1K5CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2032，"22+"：5000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2032，"22+"：5000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2032，"22+"：5000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：5000psc
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
功率：31.3W
阈值电压：4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
栅极电荷：6nC
漏源电压：650V
导通电阻：1Ω
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
