品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS65R580P
功率:26W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:410.8pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.1pF@25V
导通电阻:0.5mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS65R580D
功率:26W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:410.8pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.1pF@25V
导通电阻:0.5mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
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分类:Mosfet场效应管
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阈值电压:4V@250μA
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输入电容:410.8pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.1pF@25V
导通电阻:0.5mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
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栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:410.8pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
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输入电容:410.8pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.1pF@25V
导通电阻:0.5mΩ@10V,4A
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连续漏极电流:8A
导通电阻:0.5mΩ@10V,4A
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栅极电荷:8.6nC@10V
功率:26W
输入电容:410.8pF@25V
反向传输电容:3.1pF@25V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MLS65R580P
功率:26W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:410.8pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.1pF@25V
导通电阻:0.5mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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