品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20N65M5
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1434pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF20N65M5
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:30W
输入电容:1345pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF20N65M5
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:30W
输入电容:1345pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20N65M5
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1434pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK155A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@730µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1635pF@300V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20N65M5
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1434pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: