品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4265,"20+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R360PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:23W
阈值电压:4.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:7W
阈值电压:4.5V@140μA
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R230C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:67W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@2.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:4V@700μA
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:916pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.96mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD360N65S3T4G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:756pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R125C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@440µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:916pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:7W
阈值电压:4.5V@140μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R230C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:67W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@2.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:7W
阈值电压:4.5V@140μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R230C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:67W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@2.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:4V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:916pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.96mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R230C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:67W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@2.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: