品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:7W
阈值电压:4.5V@140μA
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF990N65EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:22.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N65F
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFD
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
连续漏极电流:54A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@10V,32.6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
输入电容:52.5nF@100V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@10V,30A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V@590μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:1.94nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N65DM6-4AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.9nF@100V
连续漏极电流:72A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK11A65W,S5X(M
功率:35W
阈值电压:3.5V@450μA
连续漏极电流:11.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@10V,5.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFD
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
连续漏极电流:54A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@10V,32.6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N65F
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:4V@700μA
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:916pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.96mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65T
功率:78W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,5.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):7N65F
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD360N65S3T4G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:756pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6524ENZ4C13
功率:245W
阈值电压:4V@750μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.65nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:185mΩ@11.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R400CE
功率:118W
阈值电压:3.5V@320μA
连续漏极电流:15.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,3.2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":417,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@10V,30A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UMW4N65F
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3.33nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,17A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: