包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK14A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:3.5V@690µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@300V
连续漏极电流:13.7A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF42N65M5
栅极电荷:100nC@10V
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
漏源电压:650V
输入电容:4650pF@100V
包装方式:管件
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK155A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@730µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1635pF@300V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK190A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK14A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:3.5V@690µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@300V
连续漏极电流:13.7A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK14A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:3.5V@690µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@300V
连续漏极电流:13.7A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: