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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
