品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF260N65FL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@1.5mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
阈值电压:3V
连续漏极电流:2A
导通电阻:190mΩ
功率:36W
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
阈值电压:3V
连续漏极电流:2A
导通电阻:190mΩ
功率:36W
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
阈值电压:3V
连续漏极电流:2A
导通电阻:190mΩ
功率:36W
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF260N65FL1
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
类型:N沟道
功率:36W
漏源电压:650V
输入电容:2340pF@100V
包装方式:管件
连续漏极电流:15A
阈值电压:5V@1.5mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: