采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW60R180P7SXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：17366，"20+"：22500，"21+"：5870}
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R1K0PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.7A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580P
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：17366，"20+"：22500，"21+"：5870}
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R1K0PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.7A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW60R180P7SXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW60R180P7SXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
