采购热线 400-661-9010
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL12N65
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：710mΩ@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT12N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.48nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5830，"21+"：4500}
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：280mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL12N65
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：710mΩ@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT12N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.48nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF12N65S
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5830，"21+"：4500}
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：280mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT12N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.48nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V
栅极电荷：15.3nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：280mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5830，"21+"：4500}
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：280mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF12N65S
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF12N65S
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V
栅极电荷：15.3nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：280mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V
栅极电荷：15.3nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：280mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
