品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRFL12N65
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:710mΩ@10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":5830,"21+":4500}
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:280mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRFL12N65
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:710mΩ@10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AF12N65S
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":5830,"21+":4500}
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:280mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V
栅极电荷:15.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:280mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":5830,"21+":4500}
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:280mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AF12N65S
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AF12N65S
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V
栅极电荷:15.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:280mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS60R280PFD7SAKMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V
栅极电荷:15.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:280mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: