采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB25S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB25S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB25S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB25S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB25S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB25S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB25S65L
包装方式：卷带（TR）
功率：357W
输入电容：1278pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：26.4nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：25A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB25S65L
包装方式：卷带（TR）
功率：357W
输入电容：1278pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：26.4nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：25A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
包装方式：卷带（TR）
功率：357W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：5V@3.5mA
漏源电压：650V
连续漏极电流：35A
输入电容：4895pF@100V
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB25S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1278pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
