采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：382mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14N65W5，S1F
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20N65M5
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
