采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
