品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":8569,"18+":5389,"22+":41400,"9999":11}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
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包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":175940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":8569,"18+":5389,"22+":41400,"9999":11}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":8569,"18+":5389,"22+":41400,"9999":11}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":8569,"18+":5389,"22+":41400,"9999":11}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:465pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@600µA
包装方式:管件
导通电阻:600mΩ@3A,10V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:11nC@10V
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY8N65X2
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
功率:150W
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
栅极电荷:11nC@10V
导通电阻:450mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:465pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@600µA
包装方式:管件
导通电阻:600mΩ@3A,10V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:11nC@10V
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存: