采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
