品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.211nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:97mΩ@18.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.211nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:97mΩ@18.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.211nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:97mΩ@18.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.211nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:97mΩ@18.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.211nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:97mΩ@18.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.211nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:97mΩ@18.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.211nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:97mΩ@18.5A,10V
漏源电压:650V
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