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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3375pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28V65W5,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28V65W5,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK28V65W5,LQ

    工作温度:150℃

    功率:240W

    阈值电压:4.5V@1.6mA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:27.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28V65W5,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28V65W5,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK28V65W5,LQ

    工作温度:150℃

    功率:240W

    阈值电压:4.5V@1.6mA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:27.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N65M5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N65M5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N65M5

    工作温度:150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3375pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17V65W,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17V65W,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17V65W,LQ

    工作温度:150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.5V@900µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N65K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW77N65M5 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STW77N65M5 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1125

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW77N65M5

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9800pF@100V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF21N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF21N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF21N65M5

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF12N65M5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF12N65M5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF12N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N65M5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N65M5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N65M5

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:816pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STWA45N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STWA45N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STWA45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3470pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK8A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:840mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW88N65M5-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW88N65M5-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW88N65M5-4

    工作温度:150℃

    功率:450W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8825pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@42A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW38N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:764pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP11N65M5 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP11N65M5 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP11N65M5

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:644pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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