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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090A65Z，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A65W5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
导通电阻：160mΩ@11A，10V
功率：45W
工作温度：150℃
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：22A
漏源电压：650V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.5V@1.1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK090A65Z，S4X
输入电容：2780pF@300V
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
栅极电荷：47nC@10V
阈值电压：4V@1.27mA
包装方式：管件
导通电阻：90mΩ@15A，10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
输入电容：1200pF@25V
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090A65Z，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A65Z，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
