采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSI
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16407Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2660pF@12.5V
连续漏极电流：31A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：42，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@12V
连续漏极电流：22A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6794MTR1PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@13V
连续漏极电流：32A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONX38168
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€20W€3.2W€69W
阈值电压：1.9V@250µA€1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@12.5V€4520pF@12.5V
连续漏极电流：25A€62A€50A€85A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0911NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@12V
连续漏极电流：18A€30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8242TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：653pF@10V
连续漏极电流：9.9A€21A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@8.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@12V
连续漏极电流：31A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ011NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@12V
连续漏极电流：35A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6670pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6321C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：500mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2917}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP75N03R
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：3000，"20+"：51000，"21+"：207295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6301N-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：41A€298A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16410Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@12.5V
连续漏极电流：16A€59A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
