品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4952DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@13V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2700,"19+":15000,"21+":4088,"22+":54185,"MI+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4952DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@13V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: