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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@12V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15987，"23+"：2933}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@12V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2542pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15987，"23+"：2933}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2542pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2542pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
