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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6794MTR1PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@13V
连续漏极电流：32A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
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功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
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功率：3.2W€191W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
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输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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品牌：INFINEON
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规格型号(MPN)：IRF6794MTR1PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@13V
连续漏极电流：32A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
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规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
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输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：324}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6794MTR1PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@13V
连续漏极电流：32A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：324}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6794MTR1PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@13V
连续漏极电流：32A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：47nC@4.5V
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输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16556Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€191W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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