销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD86356Q5D

工作温度：-55℃~150℃

功率：12W

阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V

连续漏极电流：40A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：26W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：9.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：670pF@12V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：8.1mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT

工作温度：-55℃~150℃

功率：13W

阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V

连续漏极电流：40A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I

功率：2.5W

阈值电压：2V@250μA

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.95mΩ@10V，30A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：3565}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：26W

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：9.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：670pF@12V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：8.1mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I

功率：2.5W

阈值电压：2V@250μA

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.95mΩ@10V，30A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I

功率：2.5W

阈值电压：2V@250μA

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.95mΩ@10V，30A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT

工作温度：-55℃~150℃

功率：13W

阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V

连续漏极电流：40A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT

工作温度：-55℃~150℃

功率：13W

阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V

连续漏极电流：40A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD86356Q5D

工作温度：-55℃~150℃

功率：12W

阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V

连续漏极电流：40A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：26W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：9.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：670pF@12V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：8.1mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：26W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：9.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：670pF@12V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：8.1mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：7250}

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD86356Q5DT

工作温度：-55℃~150℃

功率：12W

阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V

连续漏极电流：40A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I

功率：2.5W

阈值电压：2V@250μA

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.95mΩ@10V，30A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：12500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD86356Q5D

工作温度：-55℃~150℃

功率：12W

阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V

连续漏极电流：40A

类型：2个N通道（半桥）

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I

功率：2.5W

阈值电压：2V@250μA

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.95mΩ@10V，30A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I

功率：2.5W

阈值电压：2V@250μA

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.95mΩ@10V，30A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：26W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€7.8W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6670pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：2.7mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ009NE2LS5ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：92nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：960μΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1