采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R2-25QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€40.3W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：25.5nC@10V
输入电容：1.2nF@12.5V
连续漏极电流：13.1A€65A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.2mΩ@13.1A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026NE2LS5
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.6mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026NE2LS5
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.6mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026NE2LS5
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.6mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：3.167nF@12V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.81mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTK2575LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：49pF@10V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@10V
导通电阻：249mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10μA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1123，"21+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026NE2LS5
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.6mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12091，"23+"：3390，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
