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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
功率：115W
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2485pF@12V
阈值电压：2.2V@1mA
连续漏极电流：100A
栅极电荷：34.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：90A
功率：115W
栅极电荷：41nC@5V
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：5200pF@15V
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
输入电容：2.485nF@12V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
输入电容：2.485nF@12V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
输入电容：2.485nF@12V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
输入电容：2.485nF@12V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
输入电容：2.485nF@12V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：2.2V@1mA
输入电容：2.485nF@12V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
功率：115W
栅极电荷：34.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
