品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:39W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:2247 pF @ 10 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.65 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51781,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51781,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta),89W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:82 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453 pF @ 12 V
连续漏极电流:47A(Ta),310A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.58 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51781,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),96W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 12 V
连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
栅极电荷:20 nC @ 10 V
漏源电压:25V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
输入电容:1190 pF @ 13 V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: