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    漏源电压: 800V
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 32nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A80W,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@850µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A80E,S4X 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A80E,S4X 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A80E,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@600µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7Ω@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17E80W,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17E80W,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@850µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT8N80L 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT8N80L 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT8N80L

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    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:1.65nF@25V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.63Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW15N80K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW15N80K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT8N80L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT8N80L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT8N80L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:1.65nF@25V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.63Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A80W,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA7N80P 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA7N80P 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA7N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.44Ω@3.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N80P 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N80P 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP7N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.44Ω@3.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A80W,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@850µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB15N80K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A80W,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW15N80K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW15N80K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA7N80P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA7N80P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA7N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

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    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.44Ω@3.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N80P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N80P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP7N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.44Ω@3.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW15N80K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW15N80K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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