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    漏源电压: 800V
    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:422pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD2N80E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD2N80E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD2N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.75Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP17N80E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP17N80E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP17N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2408pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:422pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB11N80AE-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB11N80AE-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF 起订33个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF 起订33个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP21N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP21N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP21N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1388pF@100V

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@11A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1093pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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