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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3
功率：42W
阈值电压：3.9V@120μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V，1.2A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
