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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80N450K6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@100μA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：700pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80N450K6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@100μA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：700pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80N450K6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@100μA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：700pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5.5V@2.5mA
功率：300W
输入电容：2050pF@25V
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：800V
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP10N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
