品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3
功率:156W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3
功率:156W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3
功率:156W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1128pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3
功率:156W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3
功率:156W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1093pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@7.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1093pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@7.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3
功率:156W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1128pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1093pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@7.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1128pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1093pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@7.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3
功率:156W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: