采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF14N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：445mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF14N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：445mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
类型：N沟道
阈值电压：5V@100µA
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
栅极电荷：22nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：650pF@100V
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
