采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3LN80K5
输入电容：102pF@100V
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
栅极电荷：2.63nC@10V
阈值电压：5V@100µA
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
