包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH20N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：500W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：86nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4685pF@25V

连续漏极电流：20A

类型：N沟道

导通电阻：520mΩ@10A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH20N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：500W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：86nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4685pF@25V

连续漏极电流：20A

类型：N沟道

导通电阻：520mΩ@10A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFK24N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：650W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：105nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：7200pF@25V

连续漏极电流：24A

类型：N沟道

导通电阻：400mΩ@12A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：156W

阈值电压：4V

栅极电荷：35nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：304mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：7nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2.9A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：156W

阈值电压：4V

栅极电荷：35nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：304mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTP360N80S3Z

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：25.3nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFA10N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：300W

阈值电压：5.5V@2.5mA

栅极电荷：40nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：2050pF@25V

连续漏极电流：10A

类型：N沟道

导通电阻：1.1Ω@5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：1.27Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFB60N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：1250W

阈值电压：5V@8mA

栅极电荷：250nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：18000pF@25V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：140mΩ@30A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH16N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：460W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4600pF@25V

连续漏极电流：16A

类型：N沟道

导通电阻：600mΩ@500mA，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH16N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：460W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4600pF@25V

连续漏极电流：16A

类型：N沟道

导通电阻：600mΩ@500mA，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH16N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：460W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4600pF@25V

连续漏极电流：16A

类型：N沟道

导通电阻：600mΩ@500mA，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFB60N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：1250W

阈值电压：5V@8mA

栅极电荷：250nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：18000pF@25V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：140mΩ@30A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH16N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：460W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4600pF@25V

连续漏极电流：16A

类型：N沟道

导通电阻：600mΩ@500mA，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFB60N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：1250W

阈值电压：5V@8mA

栅极电荷：250nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：18000pF@25V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：140mΩ@30A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH20N80P

工作温度：-55℃~150℃

功率：500W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：86nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4685pF@25V

连续漏极电流：20A

类型：N沟道

导通电阻：520mΩ@10A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：156W

阈值电压：4V

栅极电荷：35nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：304mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA21N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：205mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：9999，"19+"：12000，"21+"：1500，"9999"：1497，"MI+"：1500}

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPU80R750P7AKMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：51W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7A

类型：MOSFET

导通电阻：640mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK5A80E，S4X

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP24N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：60nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1