采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：17300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：17300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：17300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：3.5V@280µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
