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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
功率：84W
阈值电压：3.5V@280μA
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
功率：84W
阈值电压：3.5V@280μA
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
功率：84W
阈值电压：3.5V@280μA
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N80S3Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：3.8V@0.3mA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.143nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@10V，6.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N80S3Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：3.8V@0.3mA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.143nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@10V，6.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
功率：84W
阈值电压：3.5V@280μA
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
连续漏极电流：13A
功率：84W
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
阈值电压：3.5V@280μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N80S3Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：3.8V@0.3mA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.143nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@10V，6.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
连续漏极电流：13A
功率：84W
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
阈值电压：3.5V@280μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
连续漏极电流：13A
功率：84W
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
阈值电压：3.5V@280μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80R360P7
功率：84W
阈值电压：3.5V@280μA
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.6A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N80S3Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：3.8V@0.3mA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.143nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@10V，6.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：13A
功率：31W
输入电容：1.143nF@400V
导通电阻：300mΩ@10V，6.5A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：3.8V@0.3mA
类型：1个N沟道
漏源电压：800V
栅极电荷：25.3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
