品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE30LPBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
连续漏极电流:4.1A
功率:125W
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:78W
输入电容:804pF@100V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB24N80AE-GE3
连续漏极电流:21A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:208W
输入电容:1836pF@100V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
漏源电压:800V
导通电阻:184mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3
连续漏极电流:21A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:208W
输入电容:1836pF@100V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
漏源电压:800V
导通电阻:184mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE20PBF
导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:179W
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
输入电容:1260pF@100V
连续漏极电流:15A
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFPE30PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
连续漏极电流:4.1A
功率:125W
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
输入电容:3100pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
栅极电荷:200nC@10V
连续漏极电流:7.8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
功率:190W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
输入电容:1388pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:72nC@10V
导通电阻:235mΩ@11A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:78W
输入电容:804pF@100V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80E-GE3
输入电容:2408pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:208W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
栅极电荷:122nC@10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
输入电容:3100pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
栅极电荷:200nC@10V
连续漏极电流:7.8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
功率:190W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE20PBF
导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE30PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
连续漏极电流:4.1A
功率:125W
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2A,10V
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:422pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
输入电容:3100pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
栅极电荷:200nC@10V
连续漏极电流:7.8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
功率:190W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:350mΩ@7.5A,10V
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
功率:33W
输入电容:1093pF@100V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: