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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：K3878
功率：350W
阈值电压：3.95V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.53nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：970mΩ@10V，4.5A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：K3878
功率：350W
阈值电压：3.95V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.53nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：970mΩ@10V，4.5A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：K3878
功率：350W
阈值电压：3.95V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.53nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：970mΩ@10V，4.5A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：K3878
功率：350W
阈值电压：3.95V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.53nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：970mΩ@10V，4.5A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
漏源电压：900V
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：9A
功率：280W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
漏源电压：900V
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：9A
功率：280W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90C-F109
漏源电压：900V
导通电阻：1.4Ω@4.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：9A
功率：280W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
