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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
