品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF1K50NR5
功率:50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:48W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:40 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3438_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.95nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP48P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@24A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84KW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:2个P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06DWK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU9010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@2.8A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2106pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@45A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C4H2327N110AZ
功率:50V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKT-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@300mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: