采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.6A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKMB，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKMB，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSF6007
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP140P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
输入电容：13500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@70A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP58D0LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKMB，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKM，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DLW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：174mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
